使用熱顯微鏡 TM3，您可以自由測(cè)量甚至是微小顆粒的熱射流率，這在以前是很困難的。粒徑約為 100 μm。顆粒是SiC（碳化硅）。用于下一代半導(dǎo)體材料（寬帶隙半導(dǎo)體）、研磨用磨粒等。
嵌入樹(shù)脂中的填料的熱擴(kuò)散率的測(cè)量
迄今為止，僅使用填料無(wú)法測(cè)量熱射流率，但使用熱顯微鏡 TM3 已成為可能。可以單獨(dú)管理填料的熱物理特性。現(xiàn)在可以獲得進(jìn)一步提高材料導(dǎo)熱性的必要數(shù)據(jù)。
| 顆粒劑 | 相位滯后/度 | 幅度/毫伏 | 熱射流率 / Js -0.5 m -2 K -1 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 平均值 | 標(biāo)準(zhǔn)差 | 平均值 | 標(biāo)準(zhǔn)差 | ||
| 顆粒1 | 10.1 | 0.8 | 1.06 | 0.02 | 13500±700 |
| 顆粒2 | 8.5 | 1.1 | 1.01 | 0.02 | 15000±1300 |
| 顆粒 3 | 10.8 | 0.7 | 1.12 | 0.03 | 13000±700 |
| 顆粒4 | 7.0 7.0 | 0.8 | 1.03 | 0.03 | 16400±1000 |
| 顆粒 5 | 7.2 | 1.1 | 0.73 | 0.02 | 16200±1300 |
| 顆粒劑 | 相位滯后/度 | 幅度/毫伏 | 熱射流率 / Js -0.5 m -2 K -1 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 平均值 | 標(biāo)準(zhǔn)差 | 平均值 | 標(biāo)準(zhǔn)差 | ||
| 顆粒1 | 8.1 | 1.5 | 1.04 | 0.03 | 15300±1600 |
| 顆粒2 | 7.2 | 1.0 | 1.04 | 0.02 | 16200±900 |
| 顆粒 3 | 9.4 | 1.0 | 0.75 | 0.04 | 14200±1100 |
| 顆粒4 | 7.5 7.5 | 1.4 | 0.90 | 0.03 | 15900±1100 |
| 顆粒 5 | 9.0 | 0.9 | 0.85 | 0.03 | 14500±800 |
SiC復(fù)合材料熱射流率原理
在樣品上形成金屬薄膜，并用加熱激光定期加熱。
由于金屬的反射率具有隨表面溫度變化的特性（熱電阻法），因此通過(guò)捕捉與加熱激光同軸照射的檢測(cè)激光的反射強(qiáng)度變化來(lái)測(cè)量表面的相對(duì)溫度變化。 .
熱量從金屬薄膜傳播到樣品，導(dǎo)致表面溫度響應(yīng)出現(xiàn)相位延遲。該相位延遲取決于樣品的熱特性。通過(guò)測(cè)量加熱光和檢測(cè)光之間的相位延遲來(lái)獲得熱射流率。
